AI算力爆发带动高带宽内存需求持续走高，各大存储厂商都在争抢HBM相关产品的产能与市场份额。三星近期对内部芯片开发规划做出重要调整，通过改动下一代外挂基带芯片的制造工艺，释放宝贵的4nm产线资源，用来生产HBM4配套的底层控制芯片，以此强化自身在AI存储领域的竞争实力。

下一代外挂基带升级2nm工艺

按照最新规划，代号M2800的新一代外置5G基带芯片，原本计划采用4nm工艺完成开发，现在直接升级到2nm制程进行研发制造。这款芯片预计会在2027年完成全部开发工作，后续和Exynos 2800主处理器配套组合，落地到2028年推出的GalaxyS28旗舰机型当中。

基带芯片切换到2nm生产之后，原本留给该产品的4nm生产线就得到释放。这部分产能不会闲置，三星将把它们重点供给HBM产品所需要的基础芯片。很多普通读者容易混淆，HBM堆叠当中上层存储颗粒使用DRAM工艺，而承载控制电路、负责信号交互的底层基础芯片，需要使用逻辑芯片工艺完成加工，这也是4nm产线的主要用途。

HBM4产品实现良率突破

三星在2026年2月就已经开启HBM4的正式量产，属于行业内较早实现该产品量产的厂商。这款产品采用4nm逻辑基底芯片搭配1cnm规格DRAM颗粒组合而成，硬件规格上，单引脚传输速率可以达到11.7Gbps，经过优化最高能够跑到13Gbps。对比JEDEC给出的8Gbps标准，实际速率高出大约46%。

一款新品从试产走向稳定供货，良率是绕不开的关键门槛。HBM4刚刚启动量产阶段，整体良率还不到60%，距离商业化大规模交付还有不小差距。经过一段时间工艺迭代优化，如今产品良率已经提升至80%上下，提前达成企业内部设定的年底良率目标，也为后续大规模出货扫清障碍。

机构预测市场格局迎来改写

瑞银给出的市场测算模型，描绘出HBM市场份额未来几年的变化趋势。2025年三星在全球HBM出货量当中的占比为20%，2026年这一数字上涨至31%。到2027年，机构预计三星份额会进一步来到40%。

如果预测成真，三星的市场占比将会小幅超越SK海力士39%的水平，第一次登上全球HBM市场出货量第一的位置。当然该结果属于机构模型推演，最终市场排名，还会受到客户订单、产能爬坡进度、竞品技术迭代多重现实因素影响，存在变数。

产能调配背后的行业竞争逻辑

把手机基带芯片的制程往上迭代，把腾出来的成熟先进代工产能倾斜给AI存储配套芯片，能够看出三星现阶段的资源取舍。智能手机市场增长趋于平缓，而AI服务器对HBM的需求持续旺盛，产品的订单热度和盈利空间都十分可观。

但也要看到，基带转向2nm同样会带来研发成本上升，2nm产线本身也属于稀缺资源。企业需要平衡手机芯片业务研发投入，和HBM扩产带来的收益回报。HBM赛道的竞争并不只有产能这一项，产品规格、长期客户协议、交付稳定性都会左右最终市场表现，后续行业格局依旧存在变数。

（素材来自：三星 智算芯能前沿网综合）

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