全球存储缺货，为国产厂商打开难得窗口
全球存储芯片市场正经历一轮严重的供需失衡。AI及云端应用的爆发式增长，将DRAM与NAND Flash需求推至历史高位。
据TrendForce数据，2026年第二季度一般型DRAM合约价环比上涨58%至63%，NAND Flash合约价环比涨幅更高达70%至75%。下游客户被迫在全球范围内寻找替代货源，这为中国存储厂商打入国际供应链提供了难得的窗口期。
然而，正是在这一关键节点，中国两大存储巨头长江存储与长鑫存储，正从过去的并行发展走向正面竞争。
长江存储：从NAND龙头跨入DRAM领域
长江存储在3D NAND领域的技术积累是其最核心的竞争壁垒。其自主研发的Xtacking混合键合架构，已实现294层3D NAND量产，混合键合核心专利数量远超三星和SK海力士。
这一技术优势已经得到了国际巨头的认可。2025年，三星电子与长江存储签署了专利许可协议，从第10代V-NAND开始获得长江存储混合键合技术的授权。这意味着，即便是全球NAND龙头，也难以绕开长江存储在这一领域的专利壁垒。
但长江存储并未止步于NAND。据报道，公司计划跨入LPDDR5 DRAM领域，将于2026年底试产，初期规划约2.5万片DRAM产能，目标2027年完成产能爬坡。后续还规划了HBM与3D DRAM的研发方向。
长鑫存储：从DRAM反向切入NAND
长鑫存储在DRAM领域的根基同样深厚。其已发展成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，2026年第二季度全球营收份额从第一季度的7.7%升至9.5%，并已实现LPDDR6的全球首发量产。上半年主营业务毛利率攀升至84.84%。
与长江存储的路径类似，长鑫存储也在向对方的核心领域延伸。据报道，长鑫存储计划在北京新工厂建立NAND Flash研发生产线，并已设立研究院。业界推测，其NAND产品最快将于2028至2029年实现量产。
正面交锋的时间窗口正在收窄
两家公司的交叉扩张，意味着它们将在对方的传统势力范围内正面相遇。业界推测，长江存储与长鑫存储最快将于2028年展开直接竞争。
从技术积淀来看，长江存储在NAND领域的Xtacking专利壁垒，与长鑫存储在DRAM领域的深厚根基，构成了各自的护城河。但问题在于，当双方都试图进入对方的核心领域时，专利摩擦的风险将显著上升。
合作共赢或为正道
业内人士指出，当前全球存储缺货的严峻形势，迫使许多系统厂商转向中国寻求替代货源，这为两家企业打入国际供应链提供了关键助攻。在这一窗口期内，如果双方陷入专利内耗，反而可能错失打入国际市场的宝贵时机。
从各自的技术积淀到行业缺货带来的替代机遇，长江存储与长鑫存储面临的共同任务，是如何在各自赛道持续突破，而非在专利战场上过早消耗彼此。合作，才是国产存储做大做强的正道。
（智算芯能前沿网综合）
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