近日，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特的普渡大学霍洛威体育馆举行了奠基仪式，正式启动其在美国的首个高带宽内存（HBM）先进封装生产基地建设。
这座工厂总投资超过40亿美元，占地约133英亩（约47万平方米），位于普渡大学校园内。与传统的晶圆制造厂不同，这座工厂主要负责先进封装——即在韩国生产的前端晶圆运抵印第安纳后，进行堆叠、连接、封装和测试，最终以“美国制造”HBM成品的形式交付给客户。
根据规划，工厂的无尘室将于2028年10月建成，2029年下半年启动新一代HBM的量产。SK海力士CEO郭鲁正在奠基仪式上表示，工厂的HBM年产能将达到数十万片晶圆。到2030年全面运营后，工厂预计将拥有约1000名员工。
产品定位方面，印第安纳工厂将率先量产第七代HBM4E芯片，而非目前正在量产的第六代HBM4。这一决策与英伟达持续升级AI加速器平台的路线图直接相关。SK海力士此前已完成HBM4E芯片的样品出货，开发工作按计划推进。
目前，英伟达最新的Vera Rubin AI加速器搭载的是第六代12层HBM4——印第安纳工厂的目标是让英伟达的下一代平台用上“美国制造”的HBM4E。
美国政府为该项目提供了《芯片与科学法案》的支持，包括最高4.5亿美元补助和5亿美元贷款。印第安纳州州长迈克·布劳恩、美国参议员托德·扬、韩国驻美大使康京和等政要出席了奠基仪式。SK集团多位高管也到场，包括美洲主管副会长俞柾准、副会长李亨熙和CEO郭鲁正。
SK海力士还计划在工厂内同步建设“先进封装研发测试床”，与客户、大学和商业合作伙伴共同开发下一代封装技术。奠基仪式当天，公司与普渡大学签署了先进封装领域的研发合作谅解备忘录。此外，超过100家材料、零部件及设备领域的合作伙伴正就进驻西拉斐特进行洽谈，预计将在当地创造约7000个直接及间接就业岗位。
郭鲁正在奠基仪式上表示：“今天不仅是施工项目的启动，更是SK海力士在美国为AI建设新未来的开始”。他同时强调，印第安纳工厂将为美国客户提供“美国制造HBM”的新来源，同时强化美国半导体供应链。
（素材来自：SK海力士 智算芯能前沿网综合）
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