智算芯能前沿网最新消息，国产存储芯片制造商长鑫存储在过去一周内连续宣布两项重大技术突破，分别指向移动终端和AI计算两个方向。
LPDDR6：全球首发量产
几天前，长鑫存储正式宣布LPDDR6内存实现量产，成为全球首家量产该产品的厂商。这一节奏领先于三星和SK海力士两家传统存储巨头。
LPDDR6是新一代低功耗内存标准，主要面向智能手机、平板电脑等移动终端设备。长鑫的LPDDR6产品首发搭载于小米18 Fold折叠屏手机，标志着国产移动存储芯片首次在全球最新一代内存规格的量产竞赛中拔得头筹。
HBM3E：启动风险量产
在AI存储领域，长鑫存储的进展同样引人关注。最新消息显示，长鑫已启动HBM3E内存的风险量产（risk production）。
HBM3E是目前AI加速卡的核心存储方案。按照JEDEC标准规范，HBM3E采用1024位接口，单Pin速率在9.2至12.4Gbps之间，总带宽可达1.2TB/s。容量方面，8层堆叠提供24GB，12层堆叠可达36GB。长鑫尚未公布具体规格参数，但大概率对标这一标准。
HBM的制造工艺极为复杂。一颗HBM芯片需要将多层DRAM裸片通过TSV硅通孔技术堆叠封装在一起，对制造精度和良率控制的要求远高于普通DDR5。这也是全球能量产HBM的厂商屈指可数的根本原因。
目前，全球仅SK海力士、三星和美光三家实现HBM的规模出货。长鑫若能从风险量产顺利过渡到大规模制造，将成为全球第四家具备HBM量产能力的厂商。
风险量产阶段意味着良率仍然较低，可用芯片数量有限。但长鑫DDR5产品此前曾在极短时间内从试产转为大规模出货，因此市场对HBM3E的量产节奏持相对乐观的预期。
差距仍然存在
需要客观看待的是，长鑫的HBM3E距离韩国双雄仍有约两代的技术差距。SK海力士目前是HBM3E的最大供应商，独占NVIDIA H200的订单，同时已在准备向HBM4E过渡，预计带宽将超过1.6TB/s。三星也在加速追赶，美光则稍显落后。
但在当前AI芯片出口管制持续收紧的背景下，对中国半导体供应链而言，从无到有的突破比追平差距更具紧迫性。
补齐AI芯片的最后短板
此前，国产AI加速卡长期面临HBM供应受限的困境。以寒武纪为例，其思元590和690等AI芯片性能指标对标NVIDIA A100和H100，但只能使用GDDR6或DDR4作为替代方案，带宽和能效与HBM差距明显。
国产HBM3E量产后，这一短板有望得到实质性弥补。国产AI加速卡将拥有配套的高带宽存储方案，有助于降低国内AI产业对海外HBM供应链的依赖。
一周两项突破，长鑫存储正在从DRAM领域的追赶者，逐步向移动终端和AI计算两个方向的核心供应商位置靠近。LPDDR6的全球首发证明了其在先进制程和产品定义上的能力，HBM3E的风险量产则标志着国产存储正式进入AI高带宽存储的竞技场。接下来需要观察的，是风险量产到规模量产的转换速度，以及下一代HBM4/E的研发节奏。
（素材来自：长鑫科技 智算芯能前沿网综合）
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